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防止電源電壓瞬變的串聯(lián)保護電路
低壓電源線上的瞬變電壓幅值有時能達到標稱電壓的許多倍。這種情況常常要求對設(shè)備保護防止有人使用不適當?shù)墓β孰娖�。防止敏感電路過電壓的常用方法是增加并聯(lián)嵌位電路。保險絲或其他限流器件處于這些嵌位電路的高能吸收能力之前。其他情況由于難以安裝或更換保險絲、工作環(huán)境不可接近或者需要不間斷工作而要求使用高壓串聯(lián)保護電路（而不是并聯(lián)嵌位電路）。圖1所示串聯(lián)保護電路使用一個串聯(lián)的高壓N溝道MOSFET電源開關(guān)Q1和一個快速過電壓探測器來關(guān)閉電源開關(guān)。電源開關(guān)和串聯(lián)電源整流器D1能防止負載上出現(xiàn)高達±500V瞬變高壓和連續(xù)過電壓。圖1，這一電路可防止與右邊兩個端子連接的負載不會出現(xiàn)與左邊兩個端子連接的電源瞬變過電壓和瞬變高電壓。
在這種用12V標稱電壓電源線提供1A負載電流的電路中，一個高端開關(guān)驅(qū)動器IC1對完全接通的電源開關(guān)提供偏置。你可以通過改變D1和Q1來提高最大負載電流。為了預(yù)防出現(xiàn)很低的電源電壓，IC1內(nèi)含一個在電源電壓高于10V時才能工作的欠壓鎖定電路。為防止出現(xiàn)過壓，該電路使用一個由3只晶體管組成的、無偏置電流的、50納秒過電壓探測器，該探測器在當輸入電壓達到20V左右時起觸發(fā)作用。此時，Q4將電源電壓的柵極快速對地短路，強行關(guān)閉電源。升高的過電壓首先使齊納二極管D2導(dǎo)通，D2將IC兩端的電壓嵌位在18V左右以保護IC。齊納電流流過2.2kΩ電阻器，產(chǎn)生一個使Q2導(dǎo)通的偏置電壓。Q2導(dǎo)通引發(fā)一系列快速的動作：Q3導(dǎo)通，導(dǎo)致Q4導(dǎo)通，又導(dǎo)致Q1柵極電容快速放電而使Q1截止。
圖2，加到圖1所示電路的VIN上的150V瞬變電壓對VOUT幾乎沒有影響。
你可以這樣來驗證該電路的性能：該電路在12V電源電壓下輸出1A電流時，在電源電壓上加一個150V瞬變電壓（圖2）。瞬變電壓電源的內(nèi)部阻抗為1Ω，所加電壓的上升時間為1ms。該電路在正常工作時吸收20mA電流，其中3mA被過電壓鎖定、電壓探測分配器所吸收，17mA被IC1所吸收。如果你的設(shè)計需要在高溫條件下工作，則請注意IC1的柵極電流輸出是相對受限制的。你在進行高溫設(shè)計計算時，需要密切關(guān)注其他電路元件產(chǎn)生的漏電流。
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