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      通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

      時間:2023-02-21 00:14:06 電子通信論文 我要投稿
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      通過JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程

        摘要:采用一種簡單可行的方法,在TI公司TMS320C6XDSP集成開發環境CCS2.0下,通過JTAG口實現對DSP外部Flash可擦寫存儲器的在線編程;將用戶數據文件燒寫到DSP的外部Flash中,并在TMS320C6711DSP板上多次測試通過。
        關鍵詞:嵌入式系統DSPFlashJTAG在線編程CCS2.0
        
        引言
        
        在采用TI數字信號處理器(DSP)的嵌放式硬件系統開發完成,軟件也有CCS2.0集成開發環境下仿真測試通過后,怎樣將編譯、鏈接后生成的可執行文件(.Out),經過轉換后的十六進制文件(.Hex)寫入硬件系統的Flash存儲器中,讓系統脫機運行,這是許多DSP開發人員及初學者遇到并需要解決的問題。
        
        從JTAG接口對DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150DSK板為例,介紹“在線仿真狀態下”對Flash的編程。
        
        1Flash存儲器的擦除
        
        Flash編程之前,應對Flash進行擦除,使其每個數據位都恢復為1狀態,即全FF狀態。對Flash的擦除操作需要6個總線周期,總線時序如圖1。
        
        從圖1可知,各總線周期的操作為:
        
        第一總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;
        
        第二總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;
        
        第三總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據80H;
        
        第四總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據AAH;
        
        第五總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;
        
        第六總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據10H。
        
        完成上述操作后,Flash存儲器被完全擦除,內部數據恢復為初始狀態,全為FFH。
        
        在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:
        
        voiderase_flash()
        
        {
        
        *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
        
        *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
        
        *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0080;
        
        *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
        
        *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
        
        *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0010;
        
        }
        
        在TMS320C6711系統中,Flash所在地址段為CE1空間,其開始地址為0x90000000。這樣,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為:
        
        #defineFLASH_ADR10x90005555
        
        #defineFLASH_ADR20x90002AAA
        
        需要說明的是,在對Flash進行擦除時,應對DSP及EMIF外存儲器接口進行初始化,CE1空間定義為8位讀寫模式。
        
        初始化函數如下:
        
        voidc6x11_dsk_init(){/*DSP和EMIF初始化*/
        
        CSR=0x100;/*禁止所有中斷*/
        
        IER=1;/*禁止除NMI外的所有中斷*/
        
        ICR=0xffff;/*清除所有未完成的中斷*/
        
        *(unsignedvolatileint*)EMIF_GCR=0x3300
        
        
        
        ;
        
        *(unsignedvolatileint*)EMIF_CE0=0x30;
        
        *(unsignedvolatileint*)EMIF_CE1=0xffffff03;
        
        *(unsignedvolatileint*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;
        
        *(unsignedvolatileint*)EMIF_SDRP=0x61a;
        
        *(unsignedvolatileint*)EMIF_SDEXT=0x54529;
        
        }
        
        2Flash存儲器的編程
        
        對Flash存儲器進行字節編程之前,需要對它進行3個周期的編程指令操作,總線時序如圖2。
        
        從圖2可知,各總線周期的操作如下:
        
        第一總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據AAH;
        
        第二總線周期——向2AAAH地址的存儲單元寫入數據55H;
        
        第三總線周期——向5555H地址的存儲單元寫入數據A0H;
        
        第四總線周期——向地址的存儲單元寫入編程數據;
        
        ……
        
        在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:
        
        /*---------------------------------------------------------------------*/
        
        /*入口參數:pattern[]:數組,用于存儲編程數據*/
        
        */start_address:所要編程的起始地址指針*/
        
        /*page_size:所要編程的Flash的頁面尺寸*/
        
        /*出口參數:無*/
        
        /*---------------------------------------------------------------------*/
        
        voidflash_page_prog(unsignedcharpattern[],unsignedvolatilechar*start_address,intpage_size){
        
        volatileinti;
        
        unsignedvolatilechar*flash_ptr=start_address;
        
        *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
        
        *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
        
        *(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=FLASH_KEY3;
        
        for(i=0;i<page_size;i++)
        
        *flash_ptr++=pattern[i];
        
        }
        
        其中,FLASH_KEY1、FLASH_KEY2、FLASH_KEY3的定義如下:
        
        #defineFLASH_KEY10xAA
        
        #defineFLASH_KEY20x55
        
        #defineFLASH_KEY30xA0
        
        3校驗和的計算與編程原理
        
        (1)校驗和的計算
        
        在程序中,應對Flash編程的正確性進行自動檢查,把編程前數據的校驗和編程后Flash中讀出數據的校驗和進行比較:如果相同,則編程成功;如果不相同,則編程失敗。需要注意的是,在對Flash進行編程的過程中,不能用CCS2.0中的“VIEW/MEMORY…”功能看Flash中的編程數據,這樣會導致一會地址編程的失敗。
        
        其C語言程序如下:
        
        /*---------------------------------------------------------
        
        
        
        -------------*/
        
        /*入口參數:start_address:所要校驗的起始地址*/
        
        /*size_in_byte:所要校驗的Flash數據字節數*/
        
        /*出口參數:lchecksum:校驗和*/
        
        /*----------------------------------------------------------------------*/
        
        intflash_checksum(intstart_address,intsize_in_byte){
        
        inti;
        
        intlchecksum;
        
        unsignedvolatilechar*flash_ptr=(unsignedvolatilechar*)
        
        start_address;
        
        inttemp;
        
        i=0;
        
        lchecksum=0;
        
        while(i<size_in_byte-4){
        
        temp=*flash_ptr++;
        
        temp&=0xff;
        
        lchecksum=lchecksum+temp;
        
        i++;
        
        }
        
        returnlchecksum;
        
        }
        
        (2)編程原理
        
        基本原理是:在仿真狀態下,在PC機上運行DSP編程軟件,由運行的DSP通過JTAG口從PC機上讀入待編程的十六進制數據文件,由DSP將其寫入到其外部Flash中,即完成用戶數據文件的燒寫工作。
        
        4編程數據的讀入及編程
        
        編程時,由DSP程序從終端仿真計算機上打開要編程的十六進制文件,從十六進制文件中依次讀入編程數據,并由DSP將其寫入到其外部Flash中,程序段如下:
        
        while(data_flag=0){
        
        display_count++;
        
        if(display_count==DISPLAY_SIZE){
        
        display_count=0;
        
        /*printf(".");*/
        
        }
        
        for(i=0;i<FLASH_WRITE_SIZE;i++){
        
        j=fscanf(hex_fp,“%x”,&data);/*從文件中讀入編程數據,每次取一個字節*/
        
        if(j==EOF||j==0){
        
        data_flag=1;
        
        break;
        
        }
        
        host_buffer[i]=data;
        
        checksum+=data;
        
        flash_addr+=1;
        
        if(falsh_addr>0x90020001){
        
        printf("ERROR:beyondvalidflashaddress!");
        
        }
        
        }
        
        //寫入Flash
        
        ptr=(unsignedvolatilechar*)(flash_addr-0x80);
        
        if(data_flasg==0){
        
        length=FLASH_WRITE_SIXZE;
        
        flash_page_prog(host_buffer,ptr,length);
        
        printf("Programmingaddress:%x",flash_addr-0x
        
        
        
        80);
        
        }
        
        }
        
        注意:所采用的十六進制文件應使用“Hex6x.exe”命令,并在hex.cmd命令文件中使用“-a”參數生成的文件;指定的存儲器長度必須能被128整數(len參數能被128整除)。因為AT29LV010A以扇區為操作單位,每個扇區為128字節,共1024個扇區,其格式如下:
        
        …
        
        -maphex.map
        
        -a
        
        -image
        
        -zero
        
        -memwidth8
        
        ROMS
        
        {
        
        FLASH:org=0x90000000,len=0x20000,romwidth=8,files={test.hex}
        
        }
        
        …
        
        5仿真運行
        
        將上述程序組成一個完整的程序,經過編譯、鏈接(Project/Build命令)后,使用“File/LoadProgram...”將編程代碼Load到DSP中,運行程序,經過幾分種后即編程完畢。
        
        結語
        
        對DSP外部Flash編程雖不是一項關鍵技術,但它在整個DSP嵌入式系統開發中卻有著至關重要的作用。如果開發者在設計之初就掌握了這項技術,就會大大方便系統的調試,縮短開發時間。
        
        由于篇幅所限,本文僅給出部分核心程序代碼,讀者可利用上述代碼編寫一個完整的程序。
        
        
        
        
        
        

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