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大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
摘要：隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對存儲設(shè)備的要求也日益增強。文章以東芝的NANDE2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NANDFlash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法，對比了NAND和NORFlash的異同，介紹了容量NANDFlash在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用方法，以及如何在Linux操作系統(tǒng)中加入對NANDFlash的支持。關(guān)鍵詞：嵌入式NANDFlashLinux內(nèi)核TC58DVG02A1F00
1NAND和NORflash
目前市場上的flash從結(jié)構(gòu)上大體可以分為AND、NAND、NOR和DiNOR等幾種。其中NOR和DiNOR的特點為相對電壓低、隨機讀取快、功耗低、穩(wěn)定性高，而NAND和AND的特點為容量大、回寫速度快、芯片面積小。現(xiàn)在，NOR和NANDFLASH的應(yīng)用最為廣泛，在CompactFlash、SecureDigital、PCCards、MMC存儲卡以及USB閃盤存儲器市場都占用較大的份額。
NOR的特點是可在芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，eXecuteInPlace），這樣應(yīng)該程序可以直接在flash內(nèi)存內(nèi)運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，但寫入和探險速度較低。而NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，并且寫入和擦除的速度也很快，是高數(shù)據(jù)存儲密度的最佳選擇。這兩種結(jié)構(gòu)性能上的異同步如下：
*NOR的讀速度比NAND稍快一些。
*NAND的寫入速度比NOR快很多。
*NAND的擦除速度遠比NOR快。
*NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路也更加簡單。
*NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)量否萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。
此外，NAND的實際應(yīng)用方式要比NOR復(fù)雜得多。NOR可以直接使用，并在上面直接運行代碼。而NAND需要I/O接口，因此使用時需要驅(qū)動程序。不過當(dāng)今流行的操作系統(tǒng)對NANDFlash都有支持，如風(fēng)河（擁有VxWorks系統(tǒng)）、微軟（擁有WinCE系統(tǒng)）等公司都采用了TrueFFS驅(qū)動，此外，Linux內(nèi)核也提供了對NANDFlash的支持。
2大容量存儲器TC58DCG02A1FT00
2．1引腳排列和功能
TC58DVG02A1FT00是Toshiba公司生產(chǎn)的1Gbit(128M×8Bit)CMOSNANDE2PROM，它的工作電壓為3.3V，內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)為528bytes×32pages×8192blocks。而大小為528字節(jié)，塊大小為（16k+512）字節(jié)。其管腳排列如圖1所示。各主要引腳如下：
I/O1~I/O8：8個I/O口；
CE：片選信號，低電平有效；
WE：寫使能信號，低電平有效；
RE：讀使能信號，低電平有效；
CLE：命令使能信號；
ALE：地址使能信號；
WP：寫保護信號，低電平有效；
RY/BY：高電平時為READY信號，低電平時為BUSY信號。
2．2與ARM處理器的連接
當(dāng)前嵌入式領(lǐng)域的主流處理器當(dāng)屬ARM。圖2是以ARM7處理器為例給出的NANDFlash與ARM處理器的一般連接方法。如前所述，與NORFlash不同，NANDFlash需要驅(qū)動程序才能正常工作。
圖中PB4，PB5，PB6是ARM處理器的GPIO口，可用來控制NANDFlash的片選信號。CS1是處理器的片選信號，低電平有效。IORD、IOWR分別是處理器的讀、寫信號，低電平有效。寫保護信號在本電路中沒有連接。
2．3具體操作
地址輸入，命令輸入以及數(shù)據(jù)的輸入輸出，都是通過NANDFlash的CLE、ALE、CE、WE、RE引腳控制的。具體方式如表1所列。
表1邏輯表
CLEALECEWERE命令輸入100時鐘上升沿1數(shù)據(jù)輸入000時鐘上升沿1地址輸入010時鐘上升沿1串行數(shù)據(jù)輸出0001時鐘下降沿待機狀態(tài)XX1XX
NANDFlash芯片的各種工作模式，如讀、復(fù)位、編程等，都是通過命令字來進行控制的。部分命令如表2所列。
表2命令表
第一周期（Hex）第二周期（Hex）串行數(shù)據(jù)輸入80無讀模式100無讀模式201無讀模式350無復(fù)位FF無自動編程（真）10無自動編程（假）11無自動塊刪除60D0狀態(tài)讀取170無狀態(tài)讀取271無ID讀取190無ID讀取291無
串行數(shù)據(jù)輸入的命令80表示向芯片的IO8、IO7、IO6、IO5、IO4、IO3、IO2、IO1口發(fā)送0x80，此時除IO8為1外，其余IO口均為低電平。
2．4時序分析及驅(qū)動程序
下面以表2中的讀模式1為例分析該芯片的工作時序。由圖3可知，CLE信號有效時通過IO口向命令寄存器發(fā)送命令00H。此時NANDFlash處于寫狀態(tài)，因此WE有鏟，RE無效。發(fā)送命令后，接著發(fā)送要讀的地址，該操作將占用WE的1、2、3、4個周期。注意，此時發(fā)送的是地址信息，因此CLE為低，而ALE為高電平。當(dāng)信息發(fā)送完畢后，不能立刻讀取數(shù)據(jù)，因為芯片此時處于BUSY（忙）狀態(tài)，需要等待2~20ms。之后，才能開始真正的數(shù)據(jù)讀取。此時WE為高電平而處于無效狀態(tài)，同時CE片選信號也始終為低以表明選中該芯片。
這段時序的偽代碼如下：
Read_func(cmd,addr)
{
RE=1;
ALE=0;
CLE=1;
WE=0;
CE=0;
Send_cmd(cmd);//發(fā)送命令，由參數(shù)決定，這里為00
WE=1；//上升沿取走命令
CE=1；
CLE=0；//發(fā)送命令結(jié)束
ALE=1；//開始發(fā)送地址
For(i=0;i<4;i++)
{
WE=0;
CE=0;
Send_add(addr);//發(fā)送地址
WE=1；/上升沿取走地址
CE=1；
}
//所有數(shù)據(jù)發(fā)送結(jié)束，等待讀取數(shù)據(jù)
CE=0；
WE=1；
ALE=0；
Delay(2ms);
While(BUSY)
Wait;//如果還忙則繼續(xù)等待
Read_data(buf);//開始讀取數(shù)據(jù)
}
3Linux系統(tǒng)對NANDFlash的支持
Linux操作系統(tǒng)雖然已經(jīng)支持NANDFlash，但要使用NANDFlash設(shè)備，還必須先對內(nèi)核進行設(shè)置方法如下：
（1）在/usr/src/(內(nèi)核路徑名)目錄中輸入makemenuconfig命令，再打開主菜單，進入MemoryTechnologyDevices(MTD)選項，選中MTD支持。
（2）進入NANDFlashDeviceDrivers選項，NAND設(shè)備進行配置。不過此時對NAND的支持僅限于Linux內(nèi)核自帶的驅(qū)勸程序，沒有包含本文介紹的Toshiba芯片，為此需要對Linux內(nèi)核進行修改，方法如下：
（1）修改內(nèi)核代碼的drivers.in文件，添加下面一行：
dep-tristate'ToshibaNANDDeviceSupport'CONFIG-MTD-TOSHIBA$CONFIG-MTD
其中CONFIG-MTD-TOSHIBA是該設(shè)備的名稱，將在Makefile文件中用到。
$CONFIG-MTD的意思是只有選有$CONFIG-MTD時，該菜單才會出現(xiàn)，即依賴于$CONFIG-MTD選項。宋，Toshiba的NAND設(shè)備將被加入Linux系統(tǒng)內(nèi)核菜單中。
（2）修改相應(yīng)的Makefile文件，以便編譯內(nèi)核時能加入該設(shè)備的驅(qū)動程序。
obj-$(CONFIG-MTD-TOSHIBA)+=toshiba.o
此行語句的意思是如果選擇了該設(shè)備，編譯內(nèi)核時加入toshiba.o（假設(shè)驅(qū)動程序是toshiba.o），反之不編譯進內(nèi)核。
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