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            鐵電存儲器在儀表中的應用

            時間:2023-02-20 22:38:00 電子通信論文 我要投稿
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            鐵電存儲器在儀表中的應用

            摘要:FRAM 是一種新型存貯器,最大特點是可以隨總線速度無限次的擦寫,而且功耗低。FRAM性能優越于EEPROM  AT24C256。

                關鍵詞:存貯器;FM24C256;AT24C256;EEPROM

                一. 概述:

                 FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器(FRAM),容量為256KBIT存貯器,它和AT24C256容量等同,總線結構兼容,但FM24C256的性能指標遠大于AT24C256。在存貯器領域中,FM24C256應用逐漸被推廣和認可,尤其是大容量存貯器,它的優良特性遠高于同等容量的EEPROM。在電子式電能表行業中,數據安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發展,保存的數據量越來越大,這就需要大容量的存儲器,而大容量的EEPROM性能指標不是很高,尤其是擦寫次數和速度影響電能表自身的質量。FM24C256在電能表中的使用,會提高電能表的數據安全存貯特性。

                二. 鐵電存貯器(FRAM)FM24C256的特性:

                傳統半導體記憶體有兩大體系:易失性記憶體(volatile memory)和非易失性記憶體(non-volatile memory)。
            易失性記憶體像SRAM和DRAM在沒有電源的情況下都不能保存數據。但這種存貯器擁有高性能、易用等優點。
            非易失性記憶體像EPROM,EEPROM和FLASH 能在斷電后仍保存數據。但由于所有這些記憶體均起源自ROM技術,所以不難想象得到他們都有不易寫入的缺點:寫入緩慢、讀寫次數低、寫入時工耗大等。

                FM24C256是一個256Kbit 的FRAM,總線頻率最高可達1MHz,10億次以上的讀寫次數,工耗低。與典型的EEPROM AT24C256相比較,FM24C256可跟隨總線速度寫入,無須等待時間,而AT24C256必須等待幾毫秒(ms)才能進行下一步寫操作。FM24C256可讀寫10億次以上,幾乎無限次讀寫。而AT24C256只有10萬之一百萬次讀寫。另外,AT24C256讀寫能量高出FM24C256有2,500倍。從比較中看出,FM24C256包含了RAM技術優點,同時擁有ROM技術的非易失性特點。

                三. FM24C256的應用:

                在儀表設計中,數據的安全存貯非常重要。如電子式電能表,它在運行期間時刻都在記錄數據,
            如果功能設計比較多,那么保存的數據量大,擦寫次數比較多。這要求有一個高性能的存貯器才能滿足要求,F在的儀表設計,壽命要求長,數據保存安全期長。目前,FM24C256是非常適合儀表設計要求的存貯器。它的性能指標完全達到設計要求,解決了儀表中的設計憂慮。更重要的是,它的存貯時間短,能夠在極短的時間內保存大量數據,解決了儀表在突然斷電時數據及時、安全的存貯。RAMTRON公司研制的FM24C256,為了普及使用,存貯指令和AT24C256兼容,只是在讀寫指令和應答是不需要延時,提高了擦寫速率。封裝體積、功能管角和AT24C256一樣,使設計者容易接受和運用。

               

                寫子程序:


            WRITE:
                  CLR1 PM.3      ;;設置P4.3為輸出狀態
                  CLR1 P4.2
                  CLR1 P4.3
                  CLR1 P4.1       ;;打開寫保護
            CALL !SENDSTART    ;;發送起始位
            MOV A,#10100000B
            CALL !SENDCOM    ;;發送寫命令
            BC $WNOACKX      ;;沒應答則錯誤返回
              NOP
            CLR1 P4.2
            CLR1  PM4.3        ;; 設置P4.3為輸出狀態
            MOV A,D            ;;D中存放所寫單元高地址
            CALL !SENDCOM     ;;發送所寫單元高地址
            BC $WNOACKX    ;;;沒應答則錯誤返回
            CLR1  PM4.3        ;; 設置P4.3為輸出狀態
            MOV A,E      &

            nbsp; ;;;;E中存放所寫單元低地址
            CALL !SENDCOM   ;;發送所寫單元低地址
            BC $WNOACKX   ;;沒應答則錯誤返回
            CLR1  PM4.3        ;; 設置P4.3為輸出狀態
            MOV A,[HL]       ;;[HL] 中存放所寫數據
                CALL !A24SENDC    ;;發送所寫數據
               CLR1 CY
                        SET1 P4.1  ;;寫保護
            WNOACKX:
            SET1 CY
            RET

            SENDSTART:    發送起始位子程序
            SET1 P4.2
               SET1 P4.3      ;;發起始位
                    NOP
            NOP    
                  CLR1 P4.3
                    CLR1 4.2
                   RET

              SENDCOM:   發送命令子程序
                     CALL !A24SENDC
                       CLR1 P4.2
                    SET1  PM4.3   ;;設置P4.3為輸入狀態
                       NOP
                       NOP
                       NOP     
            SET1 4.2
                    BT P4.3,$DCOM1                 ;測試應答信號,有應答CY=1,否則CY=0
                    CLR1 CY
                       RET             ;BR RNOACK              
            DCOM1:
                    SET1 CY
                       RET
            A24SENDC:     發送數據子程序
                    CLR1 CY
                    MOV B,#08H   ;;發送8位
            SENDREP:
                    CLR1 P4.2
                     NOP
                     CLR1 P4.3
                  ROLC A,1         ;;左移一位
                  BNC $SENDPD
                    SET1  P4.3
            SENDPD:
                    NOP
                    SET1 P4.2
                     NOP
                 DBNZ B,$SENDREP   ;8位發送完返回
                    RET

             讀子程序:
            READ:
              CLR1 PM4.3       ;;;; 設置P4.3為輸出狀態
                    CALL !SENDSTART ;發送起始位
            MOV A,#10100000B
             &n

            bsp;         CALL !SENDCOM   ;; ;發送讀命令
                       BC $RNOACK       ;;       沒應答則錯誤返回
            CLR1 P4.2
              CLR1 PM4.3        ;; 設置P4.3為輸出狀態

             MOV A,D         ;D中存放所讀單元高地址
                         CALL !SENDCOM  ;;發送所讀單元高地址
                      BC $RNOACK            ;     沒應答則錯誤返回
                         CLR1 PM4.3    ;;設置P4.3為輸出狀態
            MOV A,E      ;;;E中存放所讀單元低地址
                      CALL !SENDCOM   ;;發送所讀單元低地址
            BC $RNOACK   ;;沒應答則錯誤返回
                    CLR1 P4.2
                         CLR1 PM4.3   ;;設置P4.3為輸出狀態
            SET1 P4.2
            SET1 4.3
            NOP
            NOP
                         CLR1 P4.3
                         CLR1 P4.2
                         CALL !SENDSTART  ;發送起始位
                      MOV A,#10100001B
                      CALL !SENDCOM     ;;發送讀命令
                      BC $RNOACK

                     CLR1 P4.2
                        SET1 PM4.3
             CALL !N24READB     ;;讀數據
                     CLR1 SK256
                        CLR1 PM4.6
                    CALL !SENDSTOP    ;;發送停止位
            READRET:
                CLR1 CY 
            RET
            RNOACK:
            SET1 CY 
            RET

            N24READB:
                     MOV B,#08H
            READREPX:
                    CLR1 P4.2
               NOP
               NOP
               NOP 
            SET1 P4.2
                      NOP
                   NOP
                   NOP
                   CLR1 CY
             BF P4.3,$READPD
                   SET1 CY
            READPD:
                  ROLC A,1    ;;左移1位
                  NOP
                  NOP
                  NOP
                  DBNZ B,

            $READREPX    ;;判斷是否接受8位

             RET
            SENDSTOP:     發送停止位
                 CLR1 P4.3
                    NOP
             SET1 P4.2
                    NOP            
                 SET1 P4.3
                    NOP
                    RET

                四. 小結:

                FM24C256 是一種高性能的存貯器,性能指標遠遠大于EEPROM。在電子式電能表應用中,數據擦寫次數比較頻繁,而且在掉電存貯時數據量大、時間短,怎樣安全可靠快速的保存數據一個關鍵的技術。所以,FM24C256的優良特性非常適合儀表中使用,如電能表、水表、煤氣表、暖氣表、計程車表、醫療儀表等應用廣泛。它的封裝形式有SOIC和DIP。


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